1. 近期定價成長與明年 HBM 定價成長看法正面
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公司預期 2026 年剩餘時間內，QoQ 定價將持續成長，支撐因素包括：
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供給持續緊張
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高階 HBM 占比提升
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第二季定價低於預期所帶來的基期效應
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惟成長速度可能放緩
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HBM 方面：預期 2026 下半年 HBM ASP 與利潤率將較上半年提升，因 HBM4 占營收比重朝年底增加
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2027 年：預期 HBM ASP 將因傳統 DRAM 與 HBM 市場供給緊張、以及高階產品占比提升而上漲
2. 因潔淨室空間有限，聚焦技術遷移而非擴充晶圓產能
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現有晶圓廠產能幾乎滿載
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M15X 僅有意義的產能主要用於 HBM 生產
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龍仁（Yongin）晶圓廠預計 2027 年 2 月啟用，但實際產出可能要到 2027 年底才會開始
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NAND 方面：計劃分配 M17 晶圓廠及 Solidigm 晶圓廠部分空間
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技術遷移計劃：
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國內 DRAM 從 1a nm 轉向 1c nm
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國內 176L NAND 大量轉向 321L NAND
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預期今年底前達成位元交叉（bit crossover）
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3. 重申對長期合約（LTA）看法正面
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公司未設定具體 LTA 覆蓋率目標
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鑑於伺服器記憶體（含 HBM）占比高（約占 DRAM 營收 60%），認為 LTA 覆蓋率至少 50% 最終並非不可能
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正面看法原因：
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提升需求能見度
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與客戶分擔風險
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生產與需求對齊
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改善資本支出效率
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4. 匯率波動可能對近期獲利造成部分影響
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近 100% 營收以美元計價
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但不到 50% 營業費用以外幣計價
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因此近期獲利可能受匯率波動影響
5. 計劃進一步更新股東回報方案
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管理層表示下一輪股東回報的更多細節，將於 2026 年第三季財報公布前後定案
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將在買回庫藏股與股利之間取得審慎平衡
估值方法與目標價
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以 2026E/27E 平均本益比（P/E）為基礎，計算 12 個月目標價
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目標 P/E 倍數：9.0 倍
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目標價：₩3,500,000
主要風險
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記憶體供需大幅惡化，以及技術遷移延遲
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智慧型手機／PC／伺服器需求疲弱，影響整體傳統記憶體需求
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三星 HBM 業務正面進展，影響 SK Hynix 的 HBM 營收與獲利
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AI 相關資本支出降低，影響整體 HBM 需求，進而影響公司 HBM 營收／獲利
財務預測摘要（高盛預估）
| 年度 | 營收（₩ bn） | EBITDA（₩ bn） | EPS（₩） | P/E（X） | P/B（X） | 股利殖利率（%） |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 12/25 | 97,146.7 | 61,136.4 | 62,158 | 5.0 | 1.8 | 1.0 |
| 12/26E | 345,480.8 | 281,903.6 | 399,504 | 4.7 | 3.6 | 2.1 |
| 12/27E | 499,591.8 | 412,441.8 | 491,918 | 4.3 | 2.1 | 4.3 |
| 12/28E | 592,399.6 | 473,065.6 | 560,997 | 3.8 | 3.3 | 1.4 |
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市場資本額：₩1,318.8 兆 / $954.7 億美元
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企業價值：₩1,274.8 兆 / $922.9 億美元
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3 個月日均成交量：₩9.8 兆 / $6.7 億美元
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韓國科技業 M&A 排名：3
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淨債務／EBITDA（排除租賃）：0.2（12/25）→ 0.2（12/26E）→ 0.2（12/27E）→ 0.5（12/28E）
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CROCI：30.6%（12/25）→ 72.9%（12/26E）→ 72.9%（12/27E）→ 52.7%（12/28E）
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FCF 殖利率：11.8%（12/25）→ 6.0%（12/26E）→ 6.0%（12/27E）→ 13.9%（12/28E）
