美光斥93億美元擴建廣島HBM工廠,料2028年夏季投產

美光斥93億美元擴建廣島HBM工廠,料2028年夏季投產
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Vivian Editor
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為應對AI熱潮帶動的高頻寬記憶體(HBM)需求,美光(MU.US)宣佈斥資1.5萬億日圓(約93億美元)擴建日本廣島工廠,以提升先進記憶體晶片產能,預計最快2028年夏季開始出貨。據報,日本經濟產業省已承諾提供最高5,000億日圓補貼。美光日本分公司代表董事Kota Nosaka表示,廣島工廠最大優勢在於能快速交付最先進產品,目前工廠約80%晶片材料來自日本本土供應商。擴建後將有助提升AI服務及自動駕駛車所需晶片的能效與數據傳輸效率。

事實上,AI熱潮推動下,全球記憶體巨頭相繼擴大產能。上週較早時,SK海力士宣佈計劃投資80萬億韓圜(約514.6億美元),在南韓清州市新建NAND記憶體晶片工廠;三星亦積極佈局。美光、三星和SK海力士等近期均各自宣佈增強製造能力的計劃,反映業界對AI驅動的記憶體需求前景高度看好。

 

責任編輯: Vivian
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